掺杂

导电性取决于热激发产生的受激电子和空穴，掺杂可以大大提高半导体的导电性。掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂，n型，增加空穴传导，PN结是半导体P型的一部分掺杂。为什么掺杂的浓度越高，和扩散有什么区别？当n全高掺杂。

离子注入需要合适的离子注入设备。半导体掺杂离子注入机的能量范围为20 ~ 400千电子伏。硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下，束流强度为几十到几百微安。离子注入机有两种:先分析后加速和先加速后分析。个人觉得这应该是同一个概念！离子注入后，杂质必须混入原来的纯半导体中！它的作用是将半导体的导电性提高许多倍以供采用。

相对来说，本征半导体的载流子数量很少，电导率还很低。但如果掺杂少量杂质，形成的杂质半导体的导电性会大大增强。由于杂质的不同，杂质半导体可以分为两类:N型和P型。N型半导体中掺杂的杂质是磷或其他五价元素。当磷原子取代原晶体结构中的原子，形成共价键时，多余的五价电子很容易摆脱磷核的束缚，成为自由电子，于是半导体中自由电子的数量大大增加，自由电子成为多数载流子，空穴成为少数载流子。

If 掺杂同为扩散的主体，两者没有区别。如果这两个主题是不同的，那么扩散是更生动和具体的。而掺杂只是口语化的词，扩散写的是。扩散是自发的，掺杂是人为的，有目的的，但它们是同一个物理过程。不是，扩散是指纯物质形成后，杂质原子通过热运动从外界进入物质，而掺杂是指在物质合成或固化过程中，杂质原子直接混入合成或固化的原料中。

简单来说:掺杂浓度过高时，杂质原子相互靠得太近，从而相互结合，使参与PN结形成的杂质原子数量减少，从而使PN结变窄。以下信息供参考:晶体是由许多原子重叠在一起，靠近时通过电子轨道“成键”而成。此时，原子中的“电子态”会从“能级态”变为“能带态”，即能级被展宽为能带。同样，当掺杂的浓度高到相邻“杂质原子”的电子轨道重叠时，

但由于杂质原子的轨道重叠不是很大，杂质能带宽度较小，所以传导效应不显著(一般只在低温下有贡献)。当半导体的掺杂浓度很高时，大量杂质中心的势会使导带和价带出现能带尾；如果掺杂的浓度高到能带尾与杂质能带相连，半导体的能隙就会变窄。微观粒子系统在每个稳定能量状态下的能量值。当原子形成分子时，原子轨道形成具有离散能级的分子轨道。由原子轨道组成的分子轨道数量非常多。

no 掺杂的半导体是本征半导体。导电性取决于热激发产生的受激电子和空穴，掺杂可以大大提高半导体的导电性。掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂。n型。增加空穴传导。PN结由半导体的P 掺杂部分和N 掺杂部分构成。希望对你有帮助。

离子注入是离子掺杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断缩小，结深下降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术充分发挥了它的优势。目前结深小于1um的平面技术，基本上是通过离子注入技术完成的掺杂。离子注入技术已经成为超大规模集成电路生产中不可缺少的工艺。离子注入具有以下特点:①可以在较低的温度(400℃)下进行。

②通过控制注入时的电条件(电流和电压)，可以精确控制浓度和结深，更好地控制杂质分布形状，杂质浓度不受材料固溶度的限制；③可选择一种元素注入，避免与其他杂质混合；④可以在大面积上形成薄而均匀的/层。同一晶圆上的杂质不均匀性优于1%，横向掺杂远小于扩散。⑤控制离子束的扫描面积，可以实现选择性注入，并进一步发展为无掩模掺杂技术。

不是所有掺杂都有效，因为硅和磷和硼的掺杂会有一些失效，磷和硼不会形成四价键，而是三价键，所以还是会没有导通，没有pn节。其实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合。这项技术只有欧美才有。当晶体管越来越小，普通掺杂的成功率越来越低。如果你研究原子晶体，你会获得一些关于半导体的知识。另外氮的电负性太大，不能和硅形成四价键掺杂，只能是三价键，所以不能导电。

食品安全法好像没有这个规定，但是司法解释有:最高人民*、最高人民检察院关于办理生产、销售伪劣商品刑事案件具体应用法律若干问题的解释。2001年4月5日刑法第一条规定“在产品掺杂，掺假”，是指在产品中掺入人体杂质或者异物，造成产品质量低劣。